深度解读！ST公司摘帽潮：风险犹存还是柳暗花明？

ST公司摘帽潮：风险犹存还是柳暗花明？

北京 - 近期，多家ST公司密集披露摘帽方案，摘帽审核进入高峰期。然而，业内人士指出，部分ST公司摘帽风险犹存，或为投资者带来新的不确定性。

摘帽数量激增

2024年以来，A股市场摘帽审核工作明显提速。截至6月18日，已有超过30家ST公司披露摘帽方案，数量远超去年同期。其中，不少公司是连续多年亏损的“老赖户”。

风险隐患犹存

然而，部分ST公司摘帽背后仍暗藏风险。一些公司通过财务指标粉饰业绩，或通过关联交易、变卖资产等方式规避退市指标。例如，ST新佳能2023年通过转让子公司股权、计入政府补助等方式扭亏为盈，但公司主营业务仍未改善。

监管加强审核

针对摘帽风险，监管部门持续加强审核力度。证监会交易所多次发函问询，要求公司详细说明摘帽方案的可行性、合规性，并对部分公司采取了监管措施。

投资者需谨慎

业内人士建议，投资者应谨慎投资摘帽公司，仔细研判公司基本面和摘帽方案，避免盲目追涨。同时，监管部门应进一步完善退市制度，提高退市质量，净化市场生态。

新标题：

ST公司摘帽潮：盛宴还是陷阱？投资者需谨慎

文章拓展：

• 增加对ST公司摘帽相关政策和法规的介绍。
• 分析ST公司摘帽对投资者利益的影响。
• 建议投资者如何识别ST公司摘帽风险。
• 呼吁监管部门进一步加强对ST公司的监管。

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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